مقاله ساختار الکترون جایگزینی ناخالصی الماس: اسپین پلاریزه شده؛ تجزیه و تحلیل تئوری تابع چگالی هیبریدیElectronic structure of substitutionally doped diamond: Spin-polarized, hybrid density functional theory analysis
0 (0)

0دیدگاه کاربران

در انبار موجود نمی باشد

مقاله ساختار الکترون جایگزینی ناخالصی الماس: اسپین پلاریزه شده؛ تجزیه و تحلیل تئوری تابع چگالی هیبریدیElectronic structure of substitutionally doped diamond: Spin-polarized, hybrid density functional theory analysis

0 (0)

0دیدگاه کاربران

20,000 تومان

ژورنال

ELSEVIER

سال انتشار

2018

صفحات انگلیسی

5 تا 10

صفحات فارسی

10 تا 20

20,000 تومان

نقد و بررسی

مقاله ساختار الکترون جایگزینی ناخالصی الماس: اسپین پلاریزه شده؛ تجزیه و تحلیل تئوری تابع چگالی هیبریدی

چکیده فارسی :

نقص جایگزینی تک در الماس با استفاده از اسپین –پلاریزاسیون؛ روش تئوری تابع چگالی هیبریدی از لحاظ نظری مورد بررسی قرار گرفته است. تجدید نظر Heyd-Scuseria-Ernzerhof تابع هیبریدی نمایش داده شده (HSE06) برای محاسبات انرژی کل بکار برده شد. هندسه تعادلی؛ انرژی تشکیل به صورت یک تابع حالت بار و سطوح انتقال نقص بار؛ به منظور پیش بینی پایداری نسبی و بار ناخالص هر نقص را تجزیه و تحلیل کرده ایم. محاسبات نشان داد که شعاع بلوری نمی تواند صرفا برای پیش بینی تمایل در بازده استراحت و انرژی تشکیل نقص متعاقب استفاده شود. یک تجزیه و تحلیل انرژی تشکیل در مقابل نمودار سطح فرمی نشان می دهد که هیچ یک از عناصر مورد بررسی نمی تواند به صورت جداگانه سطوح دهنده و پذیرنده؛ سطح رقابت با جایگزینی B و P را تولید کند.

 

چکیده انگلیسی:

Individual substitutional defects in diamond have been theoretically investigated using spin-polarized, hybrid density functional theory method. The revised Heyd-Scuseria-Ernzerhof screened hybrid functional (HSE06) was applied for the total energy calculation. We analyzed the equilibrium geometry, formation energy as a func-tion of charge state and defect charge transition levels, in order to predict the relative stability and doping nature of each defect. Calculations revealed that the crystal radius cannot be solely used to anticipate trend in the volume relaxation and subsequently defect formation energy. A thorough analysis of formation energy vs Fermi level di-agrams indicate that none of the investigated elements can individually generate a shallow acceptor or donor level, competitive with substitutional B and P.

 

ژورنال

ELSEVIER

سال انتشار

2018

صفحات انگلیسی

5 تا 10

صفحات فارسی

10 تا 20

دیدگاه خود را در باره این کالا بیان کنید افزودن دیدگاه

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

    هیچ پرسش و پاسخی ثبت نشده است.

پرسش خود را درباره این کالا بیان کنید

ثبت پرسش
انصراف ثبت پرسش
دانشگاه یار

عضویت از 5 سال قبل

شماره تماس: 02166084966

امتیازی ثبت نشده
https://daneshgahyar.com/shop/daneshgahyar/